上海华虹半导体取得“ONO工艺中的HTO氧化层工艺方法”专利

　　天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得了一项名为“ONO工艺中HTO氧化层工艺方法”的专利，授权公告号为CN113506756B，授权公告日为2024年4月23日，申请日为2021年6月28日。

　　本产品在ONO工艺中公开了HTO氧化层工艺方法：第一步，ONO层生长，ONO层整体厚度为原目标薄厚值 d；第二步，湿法清洗步骤，目标刻蚀量为c；第三步，测量ONO层的整体厚度，ONO层厚度测量值为b；第四步:根据第三步计算的最终目标值，选择合适的栅氧化层生长前的清洗工艺和栅氧化层生长前的刻蚀量=b最后，ONO膜厚度的目标值；第五步是栅氧化层的生长；第六步是生长栅极的多晶硅层。本产品调整了ONO层顶部HTO氧化层的工艺指标，使顶部HTO氧化层的具体厚度略高于设计目标的厚度，减少了积累厚度偏差和清洗和湿腐蚀偏差造成的误差。