武汉新芯集成电路制造有限公司获得图像传感器制造方法专利

　　根据天眼查，武汉新芯集成电路制造有限公司近日获得了一项名为“图像传感器及其制作方法”的专利，授权公告号为CN112397539B，授权公告日为2024年4月16日，申请日为2020年11月13日。

　　本产品提供的图像传感器及其生产方法包括:提供一个衬底，衬底上分布着几个像素模块，位于衬底中的第一类陷阱区；蚀刻衬底，形成相邻像素模块之间的隔离管沟；第二类离子注入隔离管沟的周圈衬底，第二类离子与第一类陷阱区的离子形成PN结；隔离层填充隔离管沟。像素模块之间的隔离隔离深管沟（DTI）与离子注入形成PN结隔离相结合，在隔离管沟周围衬底形成PN结，阻止隔离管沟周围缺陷产生的载流子自由进入读取区和感光区，降低暗电流，具有良好的电荷和光学隔离效果，降低隔离区面积，提高图像传感器芯片面积利用率。