SK海力士2024财年第一季度财报发布，净利润创历史新高！

　　2024年4月25日– SK海力士（或‘公司’）今天发布了截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报表。2024财年第一季度，公司合并收入12.4296万亿韩元，营业利润2.886万亿韩元，净利润1.917万亿韩元。2024财年第一季度营业利润率为23%，净利润率为15%。

　　2024年第一季度，公司收入同期创历史新高，营业利润也创下2018年以来市场状况最佳的第二高。公司将其视为摆脱长期低迷，开始转向全面复苏期。

　　SK海力士说：“凭借HBM等人工智能存储器的技术领导，公司提高了人工智能服务器的产品销量，并继续开展以盈利为主的业务活动，实现了营业利润环比增长734%的业绩。”公司还强调：“就NAND闪存而言，随着高端ESSD产品销售比例的提高和平均价格的提高（ASP，Average Selling Price）也有所上升，成功实现扭亏增盈，对公司具有重要意义。”

　　展望未来，面向人工智能的存储需求不断增长，一般对DRAM产品的需求也将从下半年开始恢复，因此今年半导体存储市场将呈现稳定的增长趋势。行业预测，由于HBM等高端品牌需要比一般DRAM产品使用更多的生产能力（Capacity），随着高端品牌产量的增加，一般DRAM产品的供应将相对减少，因此供应商和客户端的库存将耗尽。

　　根据人工智能存储器需求增长的趋势，SK海力士决定增加今年3月世界上第一个HBM3E产品的供应，并扩大其产品的客户基础。同时，该公司将在今年内推出第五代10纳米（1b）32GB DDR5 为了增强高容量DRAM产品对服务器的市场领导力，DRAM产品。

　　就NAND闪存而言，SK海力士将推动产品优化，以保持业绩提升的趋势。以公司竞争力强的高性能16组ESSD产品和子公司Solidigm四层模块（QLC*）以高容ESSD产品为核心，重点推广产品销售。与此同时，公司还将及时推出人工智能产品。第五代PC PCIe cSSD，并以最佳产品线应对市场需求。

　　* 四层存储单元（QLC）：通过数据存储方式，NAND闪存可分为单层存储单元，每个单元可以存储一位数据（SLC，Single Level Cell），存储两位数据的多层存储单元（MLC，Multi Level Cell），三层存储单元存储三位数据（TLC，Triple Level Cell），四层存储单元存储四位数据（QLC，Quadruple Level Cell）。与模块数量相同的SLC相比，QLC可以存储高达4倍的数据，因此容易实现高容量存储，生产成本高。

　　此外，SK海力士将及时投资扩大生产能力。公司于本月24日宣布，决定将韩国清州的M15X工厂定为DRAM生产基地，加快建设。此外，龙仁半导体集群和印第安纳州先进包装厂等中长期投资项目也将顺利推进。

　　因此，今年的总投资将与年初的计划相比有所改善。该公司解释说，增加投资是根据客户需求的增长趋势，HBM和普通DRAM的供应也将根据市场需求逐步增加。公司期待全球半导体存储市场稳步增长，同时确保更高的投资效率和财务稳定性。

　　SK海力士财务担任副总裁（CFO）金友贤说：“凭借HBM和其他适合人工智能的存储器技术的领先优势，公司的业绩开始全面恢复。未来，公司还将及时提供最具特色的商品，继续保持盈利能力，不断提高业绩。”