HBM芯片将成为2024年DRAM销售的主力军

　　海力士CEOSK Kwak Noh-Jung(郭鲁正)3月27日表示，预计到2024年，高带宽内存用于人工智能芯片组。（HBM）该芯片将占企业DRAM芯片销售额的两位数百分比。

　　据报道，SK海力士本月开始批量生产下一代先进的HBM3E芯片。HBM芯片是一种先进的存储芯片，在英伟达和其他公司生产的GPU中需求量很大，可以处理大量数据。

　　此前市调机构TrendForce预计，截至2024年底，HBM产业总体规划生产 TSV产能约为250K//(硅通孔)m，大约占据DRAM产能(大约1800K//m）HBM供应量的年增长率约为14%，可达260%。另外，2023年HBM产值占DRAM总体产业的8.4%左右，到2024年底将扩大到20.1%。

　　同时，TrendForce估计了三大HBM制造商的HBM/TSV产能，其中三星HBM 2024年TSV年产能将达到130K//m。其次，SK海力士可以达到120~125K/m；美光较少，仅为20K/m。目前，三星和SK海力士计划最积极地提高HBM产能，其中SK海力士在HBM3的市场份额超过90%，而三星将连续多个季度追赶，未来将受益于AMD。 MI300芯片逐季放量。